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CN
產品技術
MEMS
iTomic? HiK系列原子層沉積系統
iTomic? HiK系列原子層沉積系統,適用于客戶制程高介電常數(High- ?? )柵氧層、MIM電容器絕緣層、TSV介質層等薄膜工藝需求;ALD系列設備憑借原子級別的精確控制、沉積薄膜的高覆蓋率和超薄膜厚的均勻性可為邏輯芯片、存儲芯片提供介質層等關鍵工藝解決方案,技術和設備指標達到國內一流、國際先進水平。
銷售郵箱
產品特點
12英寸單片熱ALD量產設備(兼容8英寸)
1
采用原創設計的反應腔和源輸送加熱系統,可滿足優異的薄膜均勻性和重復性,更適合三維和高深寬比器件結構的薄膜生長
2
薄膜材料:Al?O?、HfO?、HfSiO、SiO?、金屬化等工藝
3
配置有4種獨立的高溫前驅體輸送系統,滿足ALD薄膜多元化摻雜工藝需求
4